| 品牌：意法 | 型号：STD1NK60-1 | 封装：TO-251 |
| 批号：2202+ | 数量：3360 | 制造商：STMicroelectronics |
| 产品种类：MOSFET | RoHS：是 | 技术：Si |
| 安装风格：Through Hole | 封装 / 箱体：TO-251-3 | 通道数量：1 Channel |
| 晶体管极性：N-Channel | Vds-漏源极击穿电压：600 V | Id-连续漏极电流：1 A |
| Rds On-漏源导通电阻：8 Ohms | Vgs - 栅极-源极电压：30 V | 最小工作温度：- 55 C |
| 最大工作温度：+ 150 C | Pd-功率耗散：3 W | 配置：Single |
| 通道模式：Enhancement | 高度：6.2 mm | 长度：6.6 mm |
| 系列：STQ1HNK60R | 晶体管类型：1 N-Channel | 宽度：2.4 mm |
| 商标：STMicroelectronics | 正向跨导 - 最小值：1 S | 下降时间：25 ns |
| 产品类型：MOSFET | 上升时间：5 ns | 工厂包装数量：3000 |
| 子类别：MOSFETs | 典型关闭延迟时间：19 ns | 典型接通延迟时间：6.5 ns |
| 单位重量：400 mg | 可售卖地：全国 | 类型：MOSFET |
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